據英國每日郵報報道，目前，美國麻省理工學院的神經系統科學家發現使老鼠忘記糟糕記憶的一種化學方法，通過抑止“記憶基因”── Npas 4，他們發現老鼠能夠“忘記”此前遭受電擊的籠子。

　　通過弱化“記憶基因”──Npas 4，科學家發現老鼠可以“忘記”曾遭受電擊的籠子。他們認為現已更近一步地發現存儲長期記憶的大腦區域，並掌握一種控制記憶的技術。

　　科學家認為這項研究現已逐漸接近長期記憶存儲的大腦區域，並掌握一種技術能夠控制它們的記憶。同時，他們表示這種基因對於所有類型的記憶具有至關重要的作用。這是一項我們理解大腦的突破性研究，可能開啟改變或者建立記憶的一種新途徑。未來這項研究或將應用於人類。

　　為了調查記憶形成的基因機制，研究人員對進入一個特製籠子的老鼠進行了輕微的電擊，在數分鐘之內，老鼠很快對這個特製籠子産生了恐懼，當下一次它們進入這個籠子時，就會全身發抖，Npas 4基因將強化激活。

　　當研究人員弱化Npas 4基因，發現老鼠不能記起令它們恐懼的狀況。同時，研究人員能夠進一步理解大腦存儲記憶的區域。當記憶“存儲”在大腦中，Npas 4基因將啟動，同時這將是開啟部分大腦區域存儲記憶的化學方式，甚至對於個別大腦細胞──神經元細胞産生存儲單獨記憶。

　　研究人員稱，我們正在搜尋這種記憶，目前我們認為能夠找到與記憶相關的根源基因。當人們體驗一種新的事件時，大腦通過改變神經元細胞之間的連接將編碼形成一種記憶。

　　當事件再次發生時，更多的基因將被激活，但是其中的記憶“主基因”將特別重要。該基因在海馬體中部分被激活，該大腦結構被認為對於形成長期記憶至關重要。

　　弗雷德里克和卡羅爾-米德爾頓大腦和認知科學發展林副教授説：“這種基因將連接事件體驗至大腦神經系統的最終變化。”

　　據悉，這支美國麻省理工學院研究小組還計劃調查是否形成記憶和恢復記憶是同一種神經元細胞。這將有助於精確查明存儲特殊記憶的神經元細胞。