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1066Mbps/更低功耗三星20nm內存將量産

發佈時間:2012年05月21日 05:52 | 進入復興論壇 | 來源：中關村在線 | 手機看視頻

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　　據國外媒體稱，三星電子將要大批量生産20nm工藝的4Gbit LPDDR2內存，相比之前的30nm工藝更加的超薄和節能。據了解，新一代20nm LPDDR2內存顆粒的厚度僅為0.8mm，速度（主頻）可達1066Mbps，並且擁有相比之前更少的功耗。不僅可以讓手機或平板擁有大容量存儲空間，而且對續航能力也有一定的提升。

三星20nm 4Gbit LPDDR2內存將量産（圖片引自互聯網）

　　三星方面也希望20nm工藝的4Gbit LPDDR2顆粒能取代30nm工藝産品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有跡象表示會採用2GB內存。三星方面預測稱，20nm內存在2012年會擁有13%市場佔有率；在2013年將會擁有49%的市場佔有率；2014年這個數字會達到63%。屆時手機和平板的主流內存也會上升到2GB。

熱詞：

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