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三星將採用20nm工藝製造4Gbit LPDDR2內存顆粒

發佈時間:2012年05月18日 14:36 | 進入復興論壇 | 來源：驅動之家 | 手機看視頻

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　　繼去年採用30nm製程生産目前存儲密度最高的4Gbit LPDDR2內存顆粒之後，昨日三星正式宣佈該公司開始使用最新的20nm製程工藝製造這一産品。

　　新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內存顆粒更薄：四顆粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPDDR2內存厚度為0.8mm，比之前30nm工藝的LPDDR2芯片少20%，傳輸速度最高同為1066Mbps（即頻率1066MHz）。

　　三星希望新的20nm工藝4Gb LPDDR2顆粒能迅速取代目前智慧手機上廣泛使用的30nm 2Gb LPDDR2産品。同為1GB容量方案，新的20nm 4Gb顆粒只需2塊堆疊而舊的2Gb産品需要4塊。

　　根據IHS iSuppli的統計，隨著智慧手機/平板電腦以及超輕薄筆記本電腦的飛速發展，4Gb LPDDR2的出貨量正在迅速上升：2012年內能佔DRAM市場總出貨量的13%，2013年可佔49%而2014年更是可達63%。2013年底4Gb DRAM顆粒將成為DRAM市場的主流産品，屆時智慧手機/平板電腦的主流産品內存容量可達2GB，此前NTT Docomo版的三星Galaxy S III正是使用4塊4Gb LPDDR2顆粒組成了2GB內存。

熱詞：

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