英飛淩科技股份公司近日推出一種創新型封裝技術，為純電動汽車和混合動力汽車等要求苛刻的汽車電子應用帶來更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標準H-PSOF（散熱型塑料小外形扁平引線）。首批推出的採用H-PSOF封裝技術的産品是40VOptiMOS?T2功率晶體管，它們的漏極電流高達300A，導通電阻（RDS(on)）低至0.76毫歐。

性能更高的功率電子元器件，可幫助汽車系統設計人員達到更高的強制性的汽車燃油效率標準，同時滿足苛刻的總體排放要求。為達到這些標準，需要採用電流承受能力超過200A，導通電阻低於1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗並提高總體效率。迄今為止，汽車市場尚未推出滿足這些需求的MOSFET。

通過推出H-PSOF封裝技術，英飛淩設立了一個新的里程碑，可提供漏極電流高達300A，導通電阻低至0.76毫歐的40V功率MOSFET。此外，相比通常用於同類汽車應用的標準D2PAK封裝（TO-263）而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。

英飛淩科技股份公司汽車電子事業部總裁JochenHanebeck表示：“通過開發創新型H-PSOF封裝，加上其深厚的汽車系統專業知識，英飛淩進一步增強了其在汽車和電力電子領域的技術領先優勢。這一面向大電流MOSFET的全新封裝，能夠讓我們的汽車系統供應商客戶設計出能效和可靠性更高的汽車電子産品，從而達到汽車油耗和排放的需求。

H-PSOF封裝可幫助汽車電子製造商更好地服務於大電流應用市場。這些應用包括混合動力電動汽車的電池管理、電動助力轉向（EPS）、汽車發電機，以及其它可提高燃油效率和降低排放的大負載應用。美國市場研究公司StrategyAnalytics在最近發佈的一份研究報告中指出，一個快速增長的應用領域是汽車EPS和啟停系統。預計到2016年，該市場的銷量將從2011年的4700萬套增至1.1億套以上，年均複合增長率約為19%。

開發H-PSOF封裝的主要目標是降低封裝電阻，並在具備較大電流承受能力的D2PAK的基礎之上，進一步提高封裝的電流承受能力。

H-PSOF封裝還具備組裝和製造上的優勢。其特殊的設計可確保良好的可焊性，從而實現可靠的焊接。此外，組裝和製造廠還能利用自動光學檢測（AOI）設備控制焊接引線，而AOI是表面貼裝工藝（SMT）生産線中常有的一部分。

採用H-PSOF封裝的首款産品是IPLU300N04S4-R7，它是英飛淩40VOptiMOST2汽車級功率晶體管産品家族的一員。該家族是節能增效、二氧化碳減排和電力傳動應用的全球標桿性産品。IPLU300N04S4-R7的連續漏極電流（ID）為300A，導通電阻（RDS(on)）為0.76mΩ。英飛淩採用H-PSOF封裝的器件符合AEC-Q101標準。公司還計劃推出更多采用H-PSOF封裝的40V和30V汽車級MOSFET。