三星電子一項一期投資多達70億美元的NAND型閃存工廠，將落戶西安。

　　NAND閃存是主要用於智慧手機、平板電腦等移動終端的存儲介質。據韓聯社報道，三星電子稱已就新一代閃存芯片生産與西安簽署諒解備忘錄，預計生産線將在明年年末正式啟動，預計每月芯片産能將達到10萬片。

　　這一新工廠將使用10納米級別的工藝。10納米級技術是三星計劃在今年投入使用的最新技術，業界人士稱，如採用10納米級製造工藝，使用同等材料生産閃存芯片，産量比起20納米級技術增加約一倍以上。

　　對於三星來説，來華投資建廠是一次風險不小的嘗試。三星曾十分擔心在海外建設高科技生産線存在技術外泄的風險，過去一直沒有在韓國和美國以外地區建立高科技生産廠。在此之前，三星僅在美國得克薩斯州奧斯丁市設立過一家芯片生産廠。

　　相比之下，三星的競爭對手海力士早在2004年就投資20億美元落戶無錫，該廠12英寸芯片産能已從初期月産1.8萬片提高到18萬片。

　　iSuppli半導體首席分析師顧文軍認為，在這個“快魚吃慢魚”的“比快”競爭時代，在中國建廠成了貼近市場、快速反應，充分利用中國資源和市場的重要方式。

　　“三星之所以改變策略，很大程度上在於中國已經是智慧手機、平板電腦等移動終端最大的生産基地和消費市場，而加快在中國佈局半導體製造，意在更加貼近中國市場並與蘋果展開全方位的競爭。而且，目前中國的芯片企業整體競爭實力太弱，已基本放棄芯片産業，沒必要擔心技術外泄。”顧文軍對《第一財經日報》説。

　　三星電子方面也稱，在華建廠的原因主要在於“對當地消費者的需求可以做到快速反應、高效應對”。

　　根據市研機構Gartner的數據，中國市場去年所消費的NAND內存芯片，佔全球市場一半，規模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。