2012年2月27日，2012年世界移動通信大會（MWC2012）在巴塞羅那隆重舉行，世界移動通信大會是全球規模最大的通信年度盛會。

　　國內領先的移動通信終端芯片解決方案提供商創毅聯合中國移動在MWC2012上共同演示了TD-LTE系列産品，包括多模、單模數據卡和CPE終端等，其中TD-LTE多模數據卡既支持TDD-LTE/FDD-LTE共模，也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式，TDD/FDD共模為TD-LTE標準真正國際化提供了有力支撐，而支持TD-SCDMA將助力2G，3G市場向TD-LTE的平滑演進。

　　該多模數據卡採用了創毅40nm工藝WarpDrive 5000基帶芯片，支持TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE 多模上網，最高可實現150Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率，支持700M~3.5GHz全頻段，可實現TD-SCDMA/GSM雙模自動切換。WarpDrive 5000採用超低功耗設計，支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換，支持CAT4速率等級，下行高達150Mbps，值得一提的是該款産品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

　　作為國內主要的TD-LTE芯片供應商，創毅早在2007 年就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發項目。2010 年4 月創毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數據卡，並服務於2010 年上海世博會。2011年5月創毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 規模技術試驗網測試及建設，並在廣州，杭州，廈門，南京，深圳，與多家系統廠商展開測試。並在2011年底率先成為首批入圍第二階段TD-LTE 規模技術試驗網測試的芯片廠商。同時，創毅也在加速支持新晉4G標準TD-LTE-Advanced的基帶芯片研發進度，預計將在2013年Q1推出支持TD-LTE-A的基帶芯片。

　　隨著2012年TD-LTE試點城市規模試驗第二階段的開始，TDD/FDD共模，與現有的2G和3G制式兼容，從而為TD-LTE終端産品的預商用奠定基礎成為第二階段試驗的主要內容。與此相對應，多模TD-LTE終端芯片將成為市場的主流趨勢，在未來較長一段時間，是否支持FDD以及2G和3G 制式將成為檢驗TD-LTE芯片技術成熟與否的一個重要標準。