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創毅聯合中移動MWC2012上展示TD-LTE多模方案

發佈時間:2012年02月29日 08:34 | 進入復興論壇 | 來源:中國經濟網 | 手機看視頻


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  2012年2月27日,2012年世界移動通信大會(MWC2012)在巴塞羅那隆重舉行,世界移動通信大會是全球規模最大的通信年度盛會。

  國內領先的移動通信終端芯片解決方案提供商創毅聯合中國移動在MWC2012上共同演示了TD-LTE系列産品,包括多模、單模數據卡和CPE終端等,其中TD-LTE多模數據卡既支持TDD-LTE/FDD-LTE共模,也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式,TDD/FDD共模為TD-LTE標準真正國際化提供了有力支撐,而支持TD-SCDMA將助力2G,3G市場向TD-LTE的平滑演進。

  該多模數據卡採用了創毅40nm工藝WarpDrive 5000基帶芯片,支持TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE多模上網,最高可實現150Mbps的下載速率和50Mbps的上傳速率,支持700M~3.5GHz全頻段,可實現TD-SCDMA/GSM雙模自動切換。WarpDrive5000採用超低功耗設計,支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換,支持CAT4速率等級,下行高達150Mbps,值得一提的是該款産品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

  作為國內主要的TD-LTE芯片供應商,創毅早在2007 年就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發項目。2010 年4月創毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數據卡,並服務於2010年上海世博會。2011年5月創毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE規模技術試驗網測試及建設,並在廣州,杭州,廈門,南京,深圳,與多家系統廠商展開測試。並在2011年底率先成為首批入圍第二階段TD-LTE規模技術試驗網測試的芯片廠商。同時,創毅也在加速支持新晉4G標準TD-LTE-Advanced的基帶芯片研發進度,預計將在2013年Q1推出支持TD-LTE-A的基帶芯片。

  隨著2012年TD-LTE試點城市規模試驗第二階段的開始,TDD/FDD共模,與現有的2G和3G制式兼容,從而為TD-LTE終端産品的預商用奠定基礎成為第二階段試驗的主要內容。與此相對應,多模TD-LTE終端芯片將成為市場的主流趨勢,在未來較長一段時間,是否支持FDD以及2G和3G制式將成為檢驗TD-LTE芯片技術成熟與否的一個重要標準。

熱詞:

  • 多模
  • 共模
  • 波束賦形
  • TD-LTE-Advanced
  • 中移動
  • 基帶
  • GSM
  • 終端芯片
  • 移動通信
  • TD-SCDMA