三星電子一項高達40億美元的投資計劃落戶北京。

　　今年1月4日，韓國政府宣佈，已經批准三星電子在中國投資40億美元建設閃存芯片工廠。這家工廠將使用20納米或以下半導體生産工藝，每月芯片産能將達到十萬片，三星計劃于2013年底開始大規模量産，但暫時還沒有對外宣佈工廠的選址。

　　昨日，一位知情人士告訴《第一財經日報》記者，此前三星已經在無錫、蘇州、北京等眾多擁有半導體産業的城市及開發區進行了正面接觸和考察，綜合考量後目前落地北京的可能性最大。

　　此前，三星計劃將蘇州原來建設的7.5代線升級成8.5代線的計劃，還在等待中國政府相關部門的批准，而這項讓三星期待的半導體投資要等到獲得審批、真正落地可能並沒有預計中那麼快。

　　如果該項目最終落地，將成為三星第二座海外芯片工廠。這對於三星來説是一次風險不小的嘗試。韓國企業對於尖端技術一向敏感，此前，三星在海外設立的唯一一個芯片生産廠位於美國得克薩斯州奧斯丁市，而遲遲不願進軍美國以外的其他地區，原因就在於，三星認為在海外建設高科技生産線存在技術外泄的風險，因此不輕易在海外建廠。

　　不過眼下，韓國三星改變策略，加快在中國佈局半導體製造。

　　iSuppli高級分析師顧文軍向記者表示，目前中國半導體行業有良好的人才基礎和産業基礎，而且更重要的是，現在三星與蘋果在閃存、手機、平板電腦等多個領域競爭激烈，中國將是其很大的市場後盾。而且，目前中國的芯片企業競爭力較弱，實際上已經基本放棄了芯片産業，因此三星沒必要太過擔心技術外泄問題。

　　三星態度的轉變也反映了中國市場的重要性。根據市研機構Gartner的數據，中國市場去年所消費的NAND內存芯片，佔全球市場一半，規模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。如果在中國大規模進行芯片製造，將便利地就地供應産業鏈下游的手機、面板（LED也需要芯片）、電腦、電視等市場。

　　顧文軍透露，除三星外，目前另外一家不能透露姓名的國際廠商也考慮在中國選址，建造類似的閃存工廠。

　　競爭對手海力士在中國的順利發展，也給了三星不小的壓力。2004年，海力士投資20億美元落戶無錫高新技術開發區，幾經增資擴産，海力士無錫廠12英寸芯片産能已從初期月産1.8萬片提高到目前的18萬片。

　　不過，對於中國相關企業而言，三星的大舉入華並不是個好消息。

　　顧文軍認為，按照三星的計劃，2013年就要實現量産，而三星對於技術保密嚴格，生産線也不會對外代工，意味著落地之後首先將和國內企業在人才資源方面展開越發激烈的爭奪。此外，按照目前中國本土芯片廠商的實力，在三星的強勢競爭下，未來很可能放棄12英寸以下的閃存製造，到時市場上很可能陷入寡頭競爭的局面，後來者的機會變得越來越小。