| 央視網|中國網絡電視臺|網站地圖 |
| 客服設為首頁 |
2012-01-04 09:45 來源：網易科技報道 作者：易科
網易科技訊 1月4日消息，據韓聯社報道，韓國知識經濟部4日表示，已批准三星電子在華設立10納米級閃存(NAND Flash)工廠的申請。三星電子因此可以開始選址，將於今年上半年開始建廠，目標在明年下半年投産。
有韓國分析師估計，三星電子此舉可能會投資40億美元。
韓國政府要求，為防止國家核心技術非法泄漏，三星電子將制定和執行技術保護對策，並定期對保護情況進行評估。還要求三星制定補充對策，減少此次對中國投資可能給國內經濟帶來的負面影響。三星電子則承諾繼續擴大在韓國國內的半導體投資。（易科）
(本文來源：網易科技報道 )
聲明：
凡註明為其他媒體來源的信息，均為轉載自其他媒體，轉載並不代表本網贊同其觀點，也不代表本網對其真實性負責。您若對該稿件內容有任何疑問或質疑，請即與新民網聯絡，本網將迅速給您回應並做處理。
中國中央電視臺 中國網絡電視臺 版權所有
違法和不良信息舉報電話:010-88047123 京ICP證060535號 京網文【2014】0383-083號
網上傳播視聽節目許可證號 0102004 新出網證（京）字098號 中國互聯網視聽節目服務自律公約
意見反饋
頂
踩
收藏
MSN或QQ好友
貼到博客或論壇
轉發郵件
