半導體器件封裝會因為材料熱脹冷縮、內部結構等因素産生內應力，在應力平衡狀態下，器件性能正常；當受到外部條件如焊接加溫、溫度變化等影響時，器件內部原有平衡被破壞，分立器件芯片性能會因受到應力影響而産生變化，出現反向漏電流增大、反向耐壓下降的失效現象。

　　揚傑電子科技多環節應力消除工藝技術在對分立器件芯片及其産品結構進行抗模擬應力試驗、銅引出電極硬度測量和塑封材料熱脹冷縮全過程性能試驗的基礎上，分析大量試驗數據和工藝調整，確定了對銅材進行退火的工藝和技術數據處理、對器件進行高溫存儲工藝以及對成形後的産品進行加溫再平衡處理等特殊工藝，使産品的應用適應能力和可靠性有所提高。

　　該項技術集成了低應力産品成形技術、塑封材料的後固化工藝、高溫存儲工藝等成熟技術，屬於集成創新。在研究形成該項技術過程中，揚傑電子科技獨立設計並安裝了二極管半成品模擬應力試驗裝置、拉力計量和長度精確測量型高精度軟材料硬度測量設備以及塑封材料熱脹冷縮全過程測量設備各一台，為應力消除技術提供長期穩定的監控條件和研究數據。