揚傑公司以科技為為本，加強校企合作，積極從高校吸取所需技術，運用到企業産品研發，重點開發對半導體大功率器件和集成電路芯片技術發展有標誌性意義且應用前景廣闊的研究項目。

　　公司在堅持自主研發的同時，注重推進産學研結合的技術創新模式。先後與南京大學、東南大學、揚州大學、山東半導體研究所等知名院校及科研機構建立了長期的人才培訓和技術開發合作關係，以充分實現公司與高校間的技術優勢互補。公司與上述主要研究單位合作開發的具體情況如下：

　　2007年8月公司與揚州大學能源與動力工程學院簽訂了産學研合作協議，通過産學研聯合開發，共同將高新技術産品推向市場，增強了企業發展的動力。同期，公司與該院簽訂《貼片式高頻橋式整流器項目合作協議》，共同合作研發了“改進型貼片式超高頻橋式整流器”並投入生産。此産品可實現從原材料到生産工藝全過程的“綠色製造”，生産工藝中控制和減少使用有毒成分，産品達到國家《電子信息産品污染控制管理辦法》要求。“貼片式高頻橋式整流器”獲得2008年度科技型中小企業技術創新基金項目。目前該項目已完成研發，成功投入生産。該産品的成功研發投産，填補了國內空白，而且其性能指標均已達到國際同類産品先進水平，有望逐步取代進口産品。2008年4月公司又與該院簽訂了《貼片式整流二極管項目合作協議》。

　　2009年3月，公司與東南大學簽訂《功率VDMOS管集成設計/工藝/封裝技術的研開發合作協議書》。協議約定雙方就“功率VDMOS管集成設計/工藝/封裝技術”項進行合作開發，最終形成知識産權歸公司所有。該項目研發經費、關鍵設備購置、品試製、産品試驗、鑒定驗收及市場開拓等主要由公司負責，東南大學參與並負責術攻關，項目攻關經費的30%為東南大學技術經費。

　　2009年3月，公司與山東半導體研究所簽訂《功率VDMOS管集成設計/工藝/封裝設計的研究開發合作協議書》。協議約定雙方就“功率VDMOS管集成設計/工藝/封裝技術”的開發進行合作。

　　2009年4月又與南京大學教授、中國科學院鄭有炓院士簽訂技術合作協議，使公司的技術創新能力得到了質的提升，目前，“VDMOS集成二極管項目”列入了江蘇省科技支撐計劃。

　　未來揚傑公司將充分把高校的科研技術力量與企業實際生産經驗充分結合，解決生産難題，實現技術革新，提高生産力。