LED 外延生長及芯片製造過程將直接影響終端LED 産品的性能與質量，是LED 生産過程中最為核心的環節，其技術發展水平直接決定了下游應用的滲透程度及覆蓋範圍。LED 的技術發展經歷了從單色系到全色系，從普亮到高亮，從低光效到高光效的上升路徑，LED 性能的不斷完善推動其不斷深入至各應用領域。

　　從應用角度出發，提高發光效率（lm/W）、降低單位成本（元/lm）是LED外延芯片行業未來技術發展的主要目標。發光效率除了影響LED 芯片的亮度及能耗外，也影響著LED 芯片的成本及可靠性，當LED 封裝器件發光效率為100lm/W 時，其中約70%的能量以熱的形式錶現出來，僅有約30%的能量以光的形式錶現出來，當輸入功率愈高時産生的熱量愈多，從而需要更多的散熱組件，此將導致LED 成本提高、可靠性降低。近年來，為了提高發光效率，研究人員在提升LED 內量子效率及光提取效率方面做了大量的研發工作，提出了PSS 襯底外延片、粗化外延表面、金屬健合剝離、倒裝芯片結構、垂直芯片結構等技術，使得LED 發光效率得到了大幅提升。目前，歐美等地區量産白光LED 芯片的發光效率已可達到130-140 lm/W，我國台灣地區平均為110-120 lm/W，我國大陸地區近年來與國際廠商差距逐漸縮小，目前量産白光LED 芯片的發光效率平均已可達到90-120 lm/W。

　　華燦光電在此方面屬於國內領先水平，他們的主要産品為GaN 基高亮度藍、綠光LED 芯片，經過下游廠商封裝後可廣泛應用於顯示屏、背光源、照明、汽車裝飾燈、交通信號燈、城市景觀亮化工程等諸多領域。