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中外科學家聯合開發出可能替代二氧化硅的新材料（2002年7月26日）

　　來自南京大學和中國科學院的科學家們日前在此間宣佈，中外科學家聯合開發出兩種薄膜材料——鋁酸鑭和鑭鋁氧氮，使它們有可能替代二氧化硅，用來作為半導體絕緣層的新材料，從而有希望製造出更小、更快的芯片。科學家們介紹説，新材料具有最好的熱穩定性，而且能很經濟地集成到傳統的半導體工藝過程中。這項研究是１９９８年３月由摩托羅拉數字基因實驗室中國部與南京大學固體微結構實驗室聯合開展的。

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